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      CW32L010安全低功耗MCU,树立M0+产品行(háng)业新标杆!

      发布时间:2024-10-09 发布者:武汉乐家和芯源半导体 内容来源(yuán):武汉(hàn)乐家和芯源半(bàn)导体有限公司

      2024年9月26日,武(wǔ)汉乐家和芯源半导体CW32L010系列(liè)产品正式官方发布。这款产品以其卓越的产品性能,迅速在业界引起了(le)广泛关注,并成功树立M0+产(chǎn)品行业(yè)的(de)新标杆(gǎn)。

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      CW32L010系列(liè)产品(pǐn)是(shì)基于 eFlash 的单芯片(piàn)低功(gōng)耗微控制(zhì)器,集成(chéng)了(le)主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高(gāo)速嵌入(rù)式存(cún)储器(qì)(多至 64K 字(zì)节 FLASH 和多(duō)至 4K 字节 SRAM)以及一系列全面的增强型外设和 I/O 口。

      内部框图

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      所有(yǒu)型号都(dōu)提供全套的通信接口(二路 UART、一(yī)路 SPI 和一(yī)路 I2C)、12 位高速(sù) ADC、四组通用和基本定(dìng)时器、一组低功耗定时器以(yǐ)及一组高级控制 PWM 定时(shí)器。

      CW32L010 可以在 -40℃到(dào) 85℃的温度范围内工作,供(gòng)电电压(yā)宽(kuān)达 1.62V ~ 5.5V。支(zhī)持 Sleep 和(hé) DeepSleep两种低功耗工(gōng)作模式CW32L010 可(kě)以在 -40℃到 85℃的(de)温度范围内工作,供(gòng)电电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep两种低功耗工作模式。

      产(chǎn)品(pǐn)优势



      1,64K超大Flash存储容量(liàng)

      在微控制器(MCU)的众多特性中,eFlash存储容(róng)量是最主(zhǔ)要的(de)关键参数之一。CW32L010系列产(chǎn)品存(cún)储容(róng)量最大 64K 字节(jiē) FLASH,数据保持 25 年 @-40℃ ~ +85℃,支持擦写保(bǎo)护、读保护和安全运行库保护功能。

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      确保高访问速度:可确保指令的快速执行,满足实时性要求高的(de)应用场景。

      易于升(shēng)级(jí)迭代:在同(tóng)等成本下,扩大存(cún)储容量,为用户提供同级最宽裕的程(chéng)序和(hé)非易失存储空间,使(shǐ)得产品在(zài)面临功能升级(jí)或迭代时,能够更加灵活(huó)地进行软件(jiàn)更新和(hé)扩(kuò)展。

      减少EEPROM依(yī)赖:通过提(tí)供充足的非易失性存储(chǔ),减(jiǎn)少(shǎo)了对外部EEPROM的依(yī)赖,降低了系统(tǒng)成(chéng)本(běn)和复杂性。

      耐用性更高:Flash擦写(xiě)寿命(mìng)高达10,000次,符合(hé)标杆(gǎn)要(yào)求(qiú),确保(bǎo)了(le)产品的(de)长期稳定(dìng)运行。


      2、黑客级代码安全防护

      在微控制器(MCU)领域,保护用户的代码(mǎ)和知识产权至关重要。CW32L010系列MCU,以(yǐ)其创新的安全特性,为(wéi)用户提供了一个坚不可摧的代码(mǎ)保护解决(jué)方案。

      尽管目(mù)前大多数MCU都支持多种安全等级(jí),阻止(zhǐ)通过SWD/ISP接(jiē)口(kǒu)读取Flash内容(róng)。但通过下载(zǎi)间谍程序,用(yòng)挟持(chí)内核的方式对Flash指令区做(zuò)数据访问(wèn)一般都被允许。

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      CW32L010系列产品可以(yǐ)阻(zǔ)止这个(gè)入侵,我们允许用(yòng)户(hù)划定一块指令存储(chǔ)区(qū)域(yù),只(zhī)能通(tōng)过指令总线(xiàn)取(qǔ)指令执行,不允许通过数据总线访问数(shù)据。在这(zhè)个区域内,即使攻击者尝试通过下载(zǎi)间谍(dié)程序挟持内核,也无法访(fǎng)问这块被保护的存储区域。用户(hù)可以将包含敏感算法和关键功能的(de)代码库存储在该区域,确保这些(xiē)核心资产只能被调用,无法被复制或篡改(gǎi)。


      3、极限超低功耗(hào)0.3uA,85℃高温漏电仅1.2uA

      超低功耗工作(zuò)模式非常多(duō),一般用户(hù)较(jiào)关(guān)注待机电流(liú)(常(cháng)温(wēn)/高温)、全速运行(háng)电流等几个(gè)主要指标。

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      CW32L010采用特别工艺(yì)制程,将待机电流控(kòng)制在0.3uA,高温(wēn)待机电流是竞品平均水平的1/4~1/8。


      4、全新(xīn)设计兼容G4相关IP的高级定(dìng)时器(qì)

      高级(jí)定时器通常用于三相PWM输出,经(jīng)常(cháng)需(xū)要与ADC紧(jǐn)密配合使(shǐ)用。我们全新设计了高级定时器,在对G4相关IP兼容的同时还增加(jiā)了部分特色功能,例如PWM移相、多(duō)点比较等(děng)等(děng),单个高级(jí)定时(shí)器支持多达6对(duì)互补PWM输出。

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      多种(zhǒng)灵活的PWM移相模式:在保持(chí)占空比不变的同时,可根(gēn)据采样(yàng)时(shí)机的(de)需(xū)求调整PWM边沿位置。

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      5、RTC补偿精度(dù)是0.060ppm,支持亚秒级读数

      CW32L010在设计时对RTC补偿机制(zhì)进行了优化,可选择32,128,256秒(miǎo)为一个补偿周期(qī),最精(jīng)细的补偿精度可达到0.060ppm,支持亚秒级读(dú)数。

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      6、全(quán)面升级的(de)低功耗串口,支(zhī)持LIN、RS485硬件使能(néng)

      低功耗串口接收数据(jù)可灵活配置接口电平,可产(chǎn)生关键字中断和帧(zhēn)超(chāo)时中(zhōng)断(duàn),支(zhī)持LIN、RS485硬(yìng)件使(shǐ)能、TXD和RXD互(hù)换及内部(bù)回环功能、LSB/MSB硬件转换(huàn)。

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      7、85℃ Latch Up测(cè)试成绩优异(yì),闩锁门限测试成绩高(gāo)达(dá)±600mA

      在(zài)MCU的设计和应用中,静电放电(ESD)的防(fáng)护能(néng)力是(shì)衡量产品可靠性的重要指(zhǐ)标之一。其中(zhōng)高温Latch Up(闩(shuān)锁)测(cè)试可以说明一定问题,CW32L010在高温Latch Up(闩锁)测试中表现出色,闩锁(suǒ)门限测试成绩高达(dá)±600mA,远高于行(háng)业一般水(shuǐ)平,相比竞(jìng)品一(yī)般水平为3~6倍(bèi)。强大的(de)ESD防护能够保护MCU内部(bù)数据不受静电(diàn)放电的影响以(yǐ)及(jí)在(zài)各种环(huán)境下的长期稳定(dìng)运行。

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      8、16路ADC输入2M采样率,采(cǎi)样保持时间可独立配置

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      9、内部时钟源特性无惧(jù)挑剔


      在当前的(de)电子市场,"低成本内卷(juàn)"已成(chéng)为(wéi)一(yī)个不可忽视的现象。在这(zhè)一背景(jǐng)下(xià),外置晶体的成本优化变得尤为重(chóng)要,这一指标考验的(de)是MCU内置RC时钟源的技术特性。CW32L010的(de)内置时钟源,不(bú)论是HSI还是LSI,都大幅优(yōu)于竞品(pǐn)。

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      CW32L010系列产(chǎn)品基于华虹半导体最新的90nm超低漏电嵌入式闪存工艺,极(jí)其出色(sè)的性能和(hé)更合理的价格(gé)定位,为用户带(dài)来了极具竞(jìng)争(zhēng)力的选择,实现了高性能与低成(chéng)本的完美结合(hé)。

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      CW32L010系列产品提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三种不同的封(fēng)装形(xíng)式,不同封装的产(chǎn)品(pǐn)所能实现(xiàn)的功能有所不同,具体情况(kuàng)如下表所(suǒ)示:

      CW32L010 家族产品功能列表

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      CW32L010系列产品的发布,是武汉(hàn)乐家和芯源半导体对(duì)市场需求的积极响应,也(yě)是公司持(chí)续创新和技术研(yán)发(fā)实力的展(zhǎn)现。随着这款(kuǎn)产品(pǐn)的正式上(shàng)市,预计将推动公司业(yè)务的增长,并为合作伙伴和客户带来更多(duō)价值(zhí)。让我们共同期待CW32L010系列产品在未(wèi)来的精彩(cǎi)表现!同(tóng)时,我们也期待与您携(xié)手(shǒu)合作,共创更加(jiā)美好的未来!

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